Досліджено вплив попереднього нейтронного опромінення, кінцевої ультразвукової обробки та легування ізовалентними домішками Pb та Sn на дефектну структуру кристалів кремнію. Дослідження проведено за методом трикристальної дифрактометрії. Здійснено порівняльний аналіз різних методів обчислення. Обробку дифрактометричних даних й обчислення параметрів дефектів проведено за допомогою спеціальної програми, створеної згідно з розробленою методикою. Для всіх зразків обчислено радіуси та концентрації кластерів і дислокаційних петель. Побудовано залежності показника статичного Дебая - Валлера від температури термообробки. З метою вивчення природи дефектів здійснено вимірювання магнітної сприйнятливості кисневмісних кристалів кремнію.

: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 [Електронний ресурс] / О.Г. Вахней; НАН України. Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова. — К., 1998. — 19 с. — укp.

         Проведено експериментальні дослідження зміни об'ємних і поверхневих властивостей монокристалів напівізолюючого нелегованого (НІН) арсеніду галію з різним відхиленням складу від стехіометричного в термічних процесах під впливом власних і домішкових ефектів їх структури. Встановлено основні закономірності зміни залежно від часу гомогенізуючого та розчинюючого відпалів з загартуванням кристалів фізичних параметрів в об'ємі монокристалів двох груп: з надлишковим відносно стехіометричного складу вмістом миш'яку та з надлишком галію. Виявлено, що поверхнева термостабільність електрофізичних характерстик кристалів НІН GaAs погіршується зі збільшенням вмісту вакансій миш'яку, а також у разі зростання щільності дислокацій. Встановлено позитивний вплив на покращання термостабільності режиму довготривалого (більше двох годин) охолодження кристалів. Показано, що зниження рекомбінаційної активності центрів EL.2, обумовленого формуванням комплексів EL2-Cu має місце в тому випадку, коли атом міді у складі комплексу займає позицію атома галію. З'ясовано, що крім міді на випромінювальну рекомбінацію через центри EL.2 також впливають атоми кадмію та селену. Встановлено, що значення механічних напружень у разі неоднорідного розподілу атомів домішки залежать від вакансійного складу кристала, якщо дифузія домішки відбувається за вакансіями галію та не залежать від нього у разі міжвузлового механізму дифузії.

         Вивчено процеси перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Установлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні за умов їх охолодження від кімнатної температури до температури залежності поверхневої провідності. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані сульфіду кадмію залежить від провідності монокристалів та дії зовнішніх факторів: попереднього вакуумного термічного відпалу, електричного поля, рентгенівського опромінення. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (0001) CdS під час охолодження, суть якого полягає у термостильованій (охолодженням) зміні конфігурації принаймні двох структурних дефектів з метастабільних у стабільні положення з вивільнення певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Установлено межові дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал - CdS, зокрема, 0,2 Кл/кг для низько- та 0,4 Кл/кг для високоомних кристалів.

         Розглянуто вплив основних елементів символізму на структуру, форму предметів та правила використання церковного костюма.

         Досліджено та подано теоретичний опис впливу параметрів фотонних кристалів, таких як розміри отворів та постійної решітки, на фотонну заборонену зону, а також на спектри пропускання та втрати оптичних інтегральних елементів на основі фотонних кристалів. Показано, що перехідник, який працює на ефекті фотонної забороненої зони фотонного кристалу, має найбільші коефіцієнти пропускання та найменші втрати. Фотонний кристал на основі гексагональної решітки циліндричних отворів має найбільшу фотонну заборонену зону. Аргументовано, що на практиці доцільно використовувати хвилевод на основі квадратної решітки з циліндричними отворами, оскільки він має широку смугу та високі коефіцієнти пропускання. Показано, що спостерігається значне зростання коефіцієнта пропускання для довжини хвилі 1,55 мкм зі зростанням ширини хвилеводної області хвилеводів на основі фотонних кристалів.

         Розроблено методику, автоматизовано процес та досліджено вплив одновісних тисків на ІЧ-спектри відбивання кристалів. За допомогою дисперсійних співвідношень Крамерса - Кроніга одержано дисперсійні та баричні залежності оптичних постійних, розраховано параметри, що характеризують ІЧ дисперсію: частоти поздовжніх і поперечних коливань, константу загасання та силу осцилятора. З'ясовано, що виявлене баричне зростання показників заломлення кристалів обумовлене зростанням електронної поляризованості, рефракції зв'язків і зміщенням спектрів поглинання у довгохвильову ділянку спектра. З'ясовано, що одновісні тиски зміщують точку сегнетоелектричного фазового переходу у різні температурні ділянки, що обумовлено впливом одновісного тиску на структуру кристала, а виявлені у цьому випадку аномалії оптичних властивостей є результатом виникнення спонтанних деформацій та поляризації.

         Досліджено процеси формування осадів з частинок з різним типом взаємодії, описано структуру та перколяційні властивості бідисперсного осаду та композиційних осадових структур, розглянуто процеси агрегації у колоїдних дисперсіях. Вивчено процеси анігіляції дефектів у структурі осадів, сформованих з урахуванням міжчастинкових гетеровзаємодій. Виявлено, що закони, за якими описуються процеси анігіляції дефектів і зміна густини осаду, є подібними та пов'язаними між собою обернено пропорційними скейлінговими коефіцієнтами. Показано екстремальну поведінку залежності густини бідисперсного осаду від вмісту великих і маленьких частинок. Проаналізовано перколяційні властивості композиційних осадів і тенденцію частинок до сегрегації за розмірами у процесі формування осаду. На підставі граві- та кондуктометричного аналізу кінетики седиментації, формування осаду та реструктуризації виявлено вплив неіоногенної поверхнево активної речовини та значення pH на формування композиційних осадів на основі графіту та каолініту. Для модифікованих моделей повільної коагуляції колоїдних частинок з урахуванням міжчастинкових взаємодій згідно теорії ДЛФО встановлено значний вплив радіуса взаємодіючих частинок на фактор стабільності Фукса, що призводить до зменшення швидкості коагуляції частинок. Під час формування частинок комплексів поліелектролітів виявлено залежність розмірів частинок комплексів поліелектролітів від значення концентрації хлориду натрію у розчині, наведено її пояснення.

         Показано, що термпературна залежність часу затухання фотолюмінесценції кристалів ЦБК зумовлена термічною дисоціацією синглетних екситонів з переносом заряду. Енергія активації дисоціації екситону для кристалів складає ~ 0,02 ев. На підставі дослідженої залежності фотоструму від частоти збудливого випромінювання встановлено, що фотопровідність кристалів ЦБК і ЦБА є власною. Розвинуто метод урахування електронних кореляцій у разі розрахунку електронної структури кристалів і молекул. На відміну від відомого методу молекулярних орбіталей - лінійної комбінації атомних орбіталей МО ЛКАО, що грунтується на наближенні середнього поля Хартрі - Фока, запропоновано метод, який є виходом за межі цього наближення. З'ясовано механізм двофотонно збудженої фотолюмінесценції кристалів та плівок ЦБК, що пов'язаний з переходами з внутрішньомолекулярним переносом заряду переважно з атомів водню (H) молекули карбазолу на атоми азоту (N) і вуглецю (C) ціаногрупи та з переходами з екситонних станів з міжмолекулярним переносом заряду між двома сусідніми взаємодіючими молекулярними ланцюгами.