От партнеров


Заказать работу


От партнеров


Счетчики

На данном сайте собрана коллекция ссылкок на документы: аналитические статьи, рефераты, книги, ГОСТЫ, авторефераты диссертаций, статистичесткие данные, маркетинговые исследования, бизнес-планы...

Статистика наиболее популярных поисковых запросов ...
РазделСтатьи и авторефераты диссертаций по физике и астрономии
Короткое описаниеКвантово-хімічне моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si 100 і Ge 100
Подробное описаниеРасширение файла: zip
Размер документа: 603.9 кб.
Описание:
Добавлено2008-09-08 00:46:24

Смотрите также:
  • Процеси парних зіткнень повільних електронів, іонів та збуджених атомів з атомами та молекулами

  • Розрахунок радіаційних та автоіонізаційних характеристик складних атомів і багатозарядних іонів на підставі квантово-електродинамічної теорії збурень

  • Кінетичні процеси в джерелі негативних іонів водню з відбитковим розрядом

  • Особливості використання зворотних сорбентів водню в плазмових джерелах позитивних та негативних іонів

  • Релятивістський розрахунок спектрів важких іонів з урахуванням ядерних та квантово-електродинамічних ефектів

  • Механізми радіаційної пошкоджуваності поверхневих шарів твердих тіл при бомбардуванні іонами інертних газів та водню

  • Моделювання процесів хемостимульованої міграції атомних часток у приповерхневих шарах напівпровідників

  • Дослідження взаємодії вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) методом скануючої тунельної мікроскопії

  • Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій

© 2007-2019