: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 [Електронний ресурс] / Ю.П. Гололобов; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1999. — 31 с. — укp.

         Вивчено низку явищ, індукованих термічною та світловою діями на оптичні абсорбційні, люмінесцентні, фотоелектричні та електрофізичні властивості кристалів силіко- і германосиленітів, легованих іонами Al, Ga, Sn, перехідних металів груп Fe (Fe, Cu, Cr, Mn, V) та Pd (Mo, Ag), кристалів, які мають дефекти стехіометрії. Знайдено основні закономірності фото- та термохромного ефектів, термічної активації та гасіння фотопровідності, формування фото- та термоелектричних станів. Визначено параметри електрично й оптично активних дефектів. Ідентифіковано внески об'ємно-зарядової та квазідипольної поляризації. Виявлено процеси багатоцентрової рекомбінації. Одержані результати обговорено в межах концепції глибоких центрів з оцінкою електрон-фононної взаємодії під час електронних переходів і співвідношення енергій термічної та оптичної активації. Виконано моделювання процесів оптичного і термічного перезарядження глибоких центрів. Побудовано діаграми конфігураційних координат, які дозволили описати фотохромний ефект, домішкову фотопровідність та термостимульований струм. Відзначено, що кристали силенітів доцільно розглядати як широкозонні напівпровідники з сильною електрон-фононною взаємодією під час електронних переходів. Викладено окремі рекомендації для практичного застосування одержаних результатів у функціональній електроніці з метою розробки просторово-часових модуляторів світла, планарних мікрохвилеводів, запису голограм, електретних приладів.

         Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору у Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, які зумовлені енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур.

         Досліджено процеси силіцидоутворення, що мають місце у багатошарових періодичних покриттях Sc/Si і Sc/W/Si/W з періодом 20 - 35 нм в інтервалі температур 403 - 1243 К. Реакція аморфізації триває за дифузійною кінетикою, переважним дифузантом є кремній. Дифузія кремнію через шар аморфного скандій-кремнієвого сплаву характеризується низькими значеннями енергії активації (0,6 еВ) та передекспоненціального множника. Доведено, що дифузійні бар'єри з номінальною товщиною вольфраму більше ніж 0,6 нм якісно змінюють кінетику твердофазної аморфізації: після того, як процеси силіцидоутворення в бар'єрних шарах завершуються та їх товщина стабілізується, параболічний закон росту аморфного силіциду ScSi змінюється на лінійний.

: Автореф. дис... канд. техн. наук: 01.04.10 [Електронний ресурс] / Є.І. Боркач; Ужгород. держ. ун-т. — Ужгород, 1999. — 16 с. — укp.

         Досліджено структуру та властивості стекол і плівок у системах As(Sb) - S(Se) та їх трансформації залежно від хімічного складу, умов одержання, за дії опромінення та відпалу, а також можливості використання цих матеріалів як неорганічних резистів з високою роздільною здатністю для голографії, лазерної й оптичної літографії. Здійснено розрахунок критичних швидкостей розплавів, визначено оптимальні режими синтезу стекол та одержання плівок на їх основі. Досліджено фізико-хімічні та кристалізаційні параметри стекол, установлено взаємозв'язок особливостей композиційних залежностей цих параметрів зі станом відповідних систем (за кінетичними діаграмами) та структурою скла. Показано, що всі досліджені стекла та плівки мають мікрогетерогенну будову.As і S(Se). З'ясовано залежність структури і властивостей досліджених матеріалів від умов модифікування. Установлено, що експонування плівок селенідів сурми сфокусованим лазерним променем призводить до їх кристалізації. Вивчено процеси аморфізації плівок і вплив термовідпалу на структуру й оптичні властивості плівок у системах Sb - Se та In - Sb - Se.

         Досліджено механізм формування поверхневих рельєфів під час голографічного запису в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників та аморфного селену. Для деталізації вивчено оптичний запис і термічне стирання в плівках аморфного селену. Механізм виникнення поверхневого рельєфу у ньому пояснено на підставі явища фотоіндукованої кристалізації a-Se, яка є зворотньою до певних розмірів кристалітів у матриці аморфного матеріалу. Розроблено теоретичну модель формування та стирання поверхневого рельєфу з врахуванням явищ фото- та термоіндукованої взаємоіндифузії в багатошаровій структурі даного типу, що призводить до зміни її загального об'єму. Показано, що зменшення періоду багатошарової структури до нанометрових розмірів спричинює різке зростання швидкості зміни товщини структури в цілому, а отже, підвищення ефективності даного типу оптичного запису. Наведено приклади практичного використання одержаних структур як світлочутливого матеріалу для голографічного запису в реальному масштабі часу без хімічного травлення.

         Встановлено основні закономірності впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості фосфідних та халькогенідних кристалів, зокрема нанокристалів, вивчено фізичні процеси, що відбуваються в них під дією високоенергетичного опромінення.

         Уперше запропоновано скінченно-елементний підхід до розв'язування стаціонарних задач динаміки нескінченних багатошарових циліндрів, що дозволяє здійснювати дослідження даних об'єктів для довільної кількості шарів та умов сполучення між ними. Розвинуто методику побудови дисперсійних залежностей для вільних хвиль у багатошарових циліндрах, яка грунтується на застосуванні матриць переходу через шар, що дозволяє здійснювати аналіз хвильових процесів у низькочастотному діапазоні. Одержано числові характеристики процесу розповсюдження вільних хвиль у нескінченних циліндрах, складених з п'яти шарів. Запропоновано та програмно реалізовано методику формування глобальної скінченно-елементної матриці системи алгебричних рівнянь для дослідження хвильових процесів у нескінченних багатошарових циліндрах у випадку ковзних контактів між шарами. Створено методику скінченно-елементного аналізу стаціонарного деформування системи циліндричних шарів під дією рухомих навантажень, а також досліджено особливості числової реалізації зворотного перетворення Фур'є, що використовується за цього. На базі запропонованого скінченно-елементного підходу оцінено звукоізоляційні характеристики конструкційного елементу у вигляді циліндра, складеного з п'яти шарів.